Ein Durchbruch bei der Fertigung von Halbleitern auf Galliumnitrid-Basis soll Infineon in den kommenden Jahren enorme Kostenvorteile bei der Produktion der Bauteile bringen. Konkret ist es dem Konzern aus Neubiberg bei München gelungen, das Material auf 300 Millimeter großen Scheiben (Wafern) zu fertigen - nach eigenen Angaben als erstem Unternehmen weltweit. Nun hofft Infineon auf ordentliches Wachstum bei diesen Bauteilen, die unter anderem für Ladegeräte wichtig sind, aber auch bei KI-Servern, in Solaranlagen oder in der Elektromobilität eine Rolle spielen.
«Dieser technologische Durchbruch wird die Branche verändern», sagt Infineon-Chef Jochen Hanebeck. «Bislang sind wir die Einzigen, die Galliumnitrid (GaN) auf 300-Millimeter-Wafern können.» Einige Wettbewerber produzierten teilweise noch auf 150 Millimetern «und wollen auf 200 Millimeter gehen, wo wir schon sind», sagt er. Der Unterschied ist größer als es auf den ersten Blick scheint: Aus einem 300-Millimeter-Wafer lassen sich 2,3-mal so viele Halbleiter herstellen als aus einer 200-Millimeter-Scheibe.
